যেকোনো উপশক্তিস্তরে সর্বোচ্চ ইলেকট্রন ধারণ ক্ষমতা—

উপশক্তিস্তরে ইলেকট্রন ধারণ ক্ষমতা নির্ভর করে উপশক্তিস্তরের মুখ্য কোয়ান্টাম সংখ্যা $(n)$ এবং অ্যাজিমুথাল কোয়ান্টাম সংখ্যা $(\ell)$ এর উপর। প্রতিটি অরবিটালে সর্বোচ্চ দুটি ইলেকট্রন থাকতে পারে এবং একটি উপশক্তিস্তরে মোট অরবিটালের সংখ্যা $(2\ell+1)$ টি। সুতরাং, যেকোনো উপশক্তিস্তরে সর্বোচ্চ ইলেকট্রন ধারণ ক্ষমতা হলো $2 \times (2\ell+1)$ । এখানে, $\ell$ হলো অ্যাজিমুথাল কোয়ান্টাম সংখ্যা, যা উপশক্তিস্তরের আকৃতি নির্দেশ করে। - $s$ উপশক্তিস্তরের জন্য $\ell=0$ , তাই ইলেকট্রন ধারণ ক্ষমতা $2(2 \times 0 + 1) = 2$ - $p$ উপশক্তিস্তরের জন্য $\ell=1$ , তাই ইলেকট্রন ধারণ ক্ষমতা $2(2 \times 1 + 1) = 6$ - $d$ উপশক্তিস্তরের জন্য $\ell=2$ , তাই ইলেকট্রন ধারণ ক্ষমতা $2(2 \times 2 + 1) = 10$ - $f$ উপশক্তিস্তরের জন্য $\ell=3$ , তাই ইলেকট্রন ধারণ ক্ষমতা $2(2 \times 3 + 1) = 14$ বিকল্প A, $2n^2$ , প্রধান শক্তিস্তরে ইলেকট্রন ধারণ ক্ষমতা নির্দেশ করে। বিকল্প B এবং C সঠিক নয় কারণ তারা উপশক্তিস্তরের অরবিটাল সংখ্যাকে দ্বিগুণ করে না বা সঠিক উপায়ে গণনা করে না।